Схема сопряжения датчика с ISA

                                Схемотехника

1. Базовые элементы ТТЛ  155-й  серии.  Схемы,  принцип  работы,  назначение
элементов ИЛИ К155ЛА3 и К155ЛР1.

ТТЛ

Обеспечивает требование быстродействия и потребляемой мощности. В  интересах
согласования с ЛЭ других типов используются преобразователи  уровня  в  виде
схемы с простым инвертором или со сложным инвертором. Для  реализации  можно
использовать диодно-резисторную логику (Шотки) со сложным инвертором.

ЛЭ ТТЛ с простым инвертором

Достоинства
        1. Простота технической реализации (на одном кристалле).
        2. Малые паразитные емкости, следовательно большое быстродействие.
Недостатки
        1. Более низкая помехоустойчивость по сравнению с ДТЛ (U+пом ТТЛ   UVD3 = 0,6В
( VD1 открыт и ( RVD  О  =  Rпр  =  5..20  Ом  и  устраняется  отрицательная
полярность в помехе. Положительная помеха влияния  не  оказывает  вследствие
своей малости.

МЭТ

VT1, R1 предназначены для реализации операции  “И”.  Он  представляет  собой
диодную сборку. Сравним с ДТЛ
1. (б–э)х1    ( VD1 (ДТЛ).
   (б–э)х2    ( VD2 (ДТЛ).
   (б–к)VT1  ( VD3 (диод смещения ДТЛ)
2. Выполняет операцию усиления.
3. При  закрывании  VT2  c  области  базы  (p)  осуществляется  рассасывание
   неосновных носителей ( VT1  заменяет  Rутечки,  включенную  в  цепь  базы
   транзистора VT1 ДТЛ (R3).

Режим работы транзистора VT1

1. Режим насыщения.
2. Активный инверсный.

1. Происходит в случае воздействия на вход сигнала низкого уровня.  В  этом
   случае б–э смещаются в прямом направлении, R мало, транзистор  открыт  и
   насыщен; б–к смещен в обратном направлении, но открыт.
2. Если на x1 и x2 подана “1”, то б–э смещены  в  обратном  направлении,  R
   велико, а б–к смещен в прямом направлении (R мало).

Рассмотрим назначение VT2

Если замкнуть R3 на корпус и сделать два разрыва (как  показано  на  рис.4).
VT2 предназначен для управления  VT3  и  VT4.  В  насыщенном  состоянии  ток
IэVT2=Iк+Iб (IнVT2 
Ua ( VT2 – активный инверсный режим. Ток течет по цепи:
       «+»ИП ( R1 ( б-к VT1( б-к VT2 ( к-э VT6 ( корпус ( «–»ИП.
U1 = U(б-к)оVT2 + U(к-э)насVT6 = 1В
В этом случае закрыт VT5. Дальше  цитата  Тимошенко  В.С.:  «А  в  каком  же
состоянии  VT4  и  VD1?  Да  они  же  закрыты!!!».  (  на   выходе   высокое
сопротивление Roff.

2 позиция таблицы. VT6 закрыт, Rк-э высокое.
Вывод: в случае подачи на вход X3 U0 при положительной логике VT6  закрыт  и
схема ЛЭ может иметь 2 состояния – включенное и выключенное.

Базовые ЛЭ ЭСЛ-типа 500-ой серии.

Достоинства: ЛЭ ЭСЛ-типа применяются в быстродействующих  устройствах,  т.к.
она (ЭСЛ) имеет малое tздр (время задержки). Это обусловлено:
       [pic]      (1), где Uл – логический перепад. (Примечание. Для  ТТЛ  с
простым инвертором [pic])
Если в (1) при Cн = const уменьшить Uл, то tздр уменьшается.
ЛЭ ЭСЛ имеет малый уровень логического перепада, дост.  Большой  ток  зарада
Cпар, ( длительность положительного перепада схемы мала. Рассмотрим  состав,
принцип работы и назначение элементов схемы. При положительной логике  U1  =
– 0,9В, U0 = – 1,7В, опорное напряжение [pic].
«ИЛИ–ИЛИ–НЕ»
[pic]
                  Рис.9
1. Токовый переключатель.
2. Источник опорного напряжения.
3. Эмиттерные повторители.

1. VT1, VT2 – левое плечо дифференциального усилителя.
      R1, R2, R5
      R3, R4 – сопротивления утечки.
      На б VT1 и VT2 подаются входные сигналы.
      На б VT3 поступает опорное напряжение  –1,3В.
      Uл = U1 – U0 = 0,8В
2. Делитель R7R8, диоды VD1 и VD2, ЭП VT4R6, VT3.
3. VT5R9 (R9 и R10 в схему ЛЭ в интегральном исполнении не входят).
      VT6R10
      U(б-э)оVT5,6 = 0,8В
Работа
X1 = X2 = 0
U1 = – 0,9В
U0 = – 1,7В
Uоп = –1,3В
VT1 и VT2 закрыты. Iк1,2 = 0. VT3 открыт. При этом Uc=–(Uоп) +  (–U(б-э)VT3)
= (–1,3) + (–0,75) = = –2,05В
Что с VT3? Проверим: (Uб – Uэ)VT3 = (–1,3) – (–2,05) = 0,75 — он открыт.
(Uб – Uэ)VT1,2 = (–U0) – (–Uc) = (–1,7) – (–2,05) = 0,35В